近日，臺塑集團旗下DRAM大廠南亞科發布媒體邀請函，其南林科技園區新建雙層無塵室12英寸廠計劃將于6月23日舉行動土典禮。而新廠落成量產時間是否維持原來計劃，有待典禮當天再宣布。

據南亞科規劃，該廠房正式采用南亞科技自主研發的10納米級制程技術生產DRAM芯片，及規劃構建EUV極紫外光微影生產技術，月產能約45,000片芯片，預期直接提供2,000個工作機會，并間接創造產業鏈數千個就業機會。該廠預估以7年分3階段投資，計劃2021年底動工，2023年底完工，2024年開始第一階段量產，總投資金額約新臺幣3,000億元。

南亞科總經理李培瑛曾指出，新廠預計從第二代10納米級DRAM制程開始導入，首階段月產能將達到15000片，3階段完成后月產能，將達到45000片。新廠南亞科也規劃構建EUV極紫外光微影生產技術，也有技術研發中心，最終什么制程導入或什么產品導入，還須視市場需求決定。

此前南亞科從40納米到20納米，每年需要向美光科技支付大量專利授權費。近年來積極投入自主技術研發，2020年初開發出10納米級DRAM新型存儲器技術，同時確立下世代10納米DRAM將采用自主研發技術，不再走授權模式。